光電二極管同樣基于ＰＮ結的光伏效應，與光電池相比， 主要特點是結區(qū)面積小，通常工作與反偏置狀態(tài)。其內建 電場很強，結區(qū)較寬，結電容小，所以頻率特性比光電池 好，但光電流比光電池的小，一般多在微安級。這類器件 可用硅，鍺，砷化銦，碲鎘汞等材料制作，目前應用最多 的是硅光電二極管。

種類 1）PN結光電二極管 ２）PIN結光電二極管 3）雪崩光電二極管（APD）

PN結光電二極管

按光敏面和襯底材料所用的材料不同，分為2CU和2DU兩種系 列。 2DU系列光敏面為N型硅，襯底為P型硅，2CU系列相反。 2DU系列有三條引出線，除了前極、后極外，還設了一個環(huán)極 （減少暗電流和噪聲，提高探測能力）。2CU系列兩個引出 線。

PIN型光電二極管

PN結型光電二極管響應時間只能達到 ，滿足不了光纖系 統(tǒng)的響應時間要求（ ），PIN結型光電二激光就是為滿足 這一要求而研制。 PIN光電二極管（快速光電二極管），與PN結光電二極管相 比，具有更快的響應時間，并使光譜響應范圍向長波方向移 動，其峰值波長可移至1.04~1.06 ，與YAG激光器的發(fā)射波 長相對應。

雪崩二極管(APD:Avalanche Photodiode)

由于普通光電二極管產生的電流微弱，進行放大和處理時會引 入放大器噪聲，雪崩光電二極管就是為解決這一問題而產生。 雪崩光電二極管（APD）是利用光生載流子在高電場區(qū)內的雪 崩效應而獲得光電增益，產生較大的輸出電流，具有靈敏高， 響應快等優(yōu)點。在光纖通信、激光測距及光纖傳感等系統(tǒng)中得 到了廣泛應用。 APD的性能與入射光功率有關，在實際探測系統(tǒng)中，當入射光 功率較小時，多采用APD，此時雪崩增益引起的噪聲貢不大。 當入射光功率較大時，雪崩增益引起的噪聲貢獻占主要優(yōu)勢， 并可能帶來光電流失真，采用PIN管更為恰當。