光電探測(cè)器國(guó)產(chǎn)化率100%
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由于眾所周知的一些原因,純國(guó)產(chǎn)的光電探測(cè)器需求被提出。即要求光電探測(cè)器的國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到100%。光電探測(cè)器模塊通常由核心的光電二極管以及外圍電路組成。由于國(guó)產(chǎn)的元器件像高速的運(yùn)放芯片,電源芯片等參數(shù)略差,導(dǎo)致純國(guó)產(chǎn)的光電探測(cè)器性能往往不是很優(yōu)秀,通常很難實(shí)現(xiàn)高帶寬參數(shù)。
基于此,我們研發(fā)了CN-系列的純國(guó)產(chǎn)光電探測(cè)器,國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到100%。
從光電二極管,運(yùn)放芯片,電源芯片,電容電阻等元器件,全部采用中國(guó)制造,結(jié)合公司成熟穩(wěn)定的精密模擬電路積累;經(jīng)過(guò)不斷的仿真和實(shí)測(cè),終于找到了合適的國(guó)產(chǎn)化的元器件替代方案。研發(fā)出了純國(guó)產(chǎn)的10M帶寬CN-系列的PIN型和APD的國(guó)產(chǎn)光電探測(cè)器。
CN-PD12系列為PIN型的光電探測(cè)器,采用光纖法蘭接頭輸入,無(wú)論是單模光纖或者多模光纖都可以輸入。PD12A-10M為硅基材料,可以探測(cè)波長(zhǎng)為400-1000nm的光,PD12C-10M為InGaAs材料,對(duì)波長(zhǎng)為1000-1700nm的光有響應(yīng)。
PD12A-10M的光敏區(qū)域直徑為200um; PD12C-10M的為70um. 2個(gè)型號(hào)的帶寬都為DC-10M. 增益也都具有10的5次方,最大輸出幅度為3.2V.
CN-APD20系列為APD的光電探測(cè)器,采用尾纖的FC接頭輸入。帶寬都是DC-10M,但增益相比PD12的10M要大一個(gè)數(shù)量級(jí),分別為10的7次方和6次方。同時(shí)擁有更低的等效功率,噪聲更低。
除了10M帶寬的探測(cè)器外,我們也積極研發(fā)新的產(chǎn)品型號(hào),如果您有其他參數(shù)的需求,我們也可以嘗試為您攻堅(jiān)定制。